Принципы импульсного тестирования новых типов энергонезависимой памяти

Флэш-память на транзисторах с плавающим затвором впервые получила широкое распространение в 1990-х гг. и до недавнего времени вполне отвечала требованиям, предъявляемым к энергонезависимой памяти в таких устройствах, как цифровые камеры, MP3 плееры и смартфоны. Тем не менее, определенные ограничения, связанные с ее скоростью, износом, потребляемой мощностью и объемом, заставляли исследователей обращаться к новым технологиям энергонезависимой памяти, таким как память с фазовым переходом (PCM/PRAM), флэш-память с ловушками заряда (CTF/ SONOS), резистивная память (ReRAM), сегнетоэлектрическая память (FeRAM), магниторезистивная память (MRAM) и т.д.

Автор(ы): Питер Дж. Халберт (Peter J. Hulbert)
Номер журнала: КИПиС 2014 № 1
Читать в PDF: Читать