Проблемы измерения параметров силовых полупроводниковых приборов — от лаборатории до производства

С недавних пор повсеместное стремление к повышению энергоэффективности заставляет производителей повышать качество силовых полупроводниковых приборов, таких как диоды, полевые транзисторы (ПТ), биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) и т. д. Новые технологии обещают улучшение характеристик — уменьшение потерь в открытом состоянии и меньшую утечку в закрытом состоянии, повышение скорости переключения и уменьшение коммутационных потерь. Однако чем лучше становятся характеристики этих п/п приборов, тем сложнее их измерять. В этой статье я сначала опишу типичный процесс разработки силовых п/п приборов, а затем мы обсудим некоторые проблемы, связанные с измерением их характеристик и необходимым для этого оборудованием.
Автор(ы): Ли Стауфер (Lee Stauffer)
Номер журнала: КИПиС 2013 № 2
Читать в PDF: Читать