Ли Стауфер (Lee Stauffer)

Направления развития контрольно-измерительной аппаратуры последнего поколения определяются совокупностью современных рыночных тенденций. Многие сегменты электронной промышленности, включая производство полупроводниковых приборов, нацелены на повышение эффективности генерации, передачи и потребления электроэнергии. Для создания устройств управления электродвигателями, регуляторов напряжения, преобразователей энергии и другого оборудования традиционно используются кремниевые п/п приборы. Поскольку большинство силовых п/п приборов работает в ключевом режиме, то возникает потребность повысить их экономичность путем уменьшения токов утечки и сопротивления в открытом состоянии…

Силовая электроника приобрела невиданную популярность. По мнению аналитиков компании IC Insights, рынок силовых полупроводниковых приборов ежегодно растет более чем на 6% и к 2014 г. должен достичь 14,5 млрд. долларов. Потребителям нужно не просто больше изделий, им нужны более эффективные изделия. В связи с этим производители разрабатывают новое поколение силовых полупроводниковых приборов, обеспечивающих существенное увеличение эффективности генерации, передачи и потребления электроэнергии.

С недавних пор повсеместное стремление к повышению энергоэффективности заставляет производителей повышать качество силовых полупроводниковых приборов, таких как диоды, полевые транзисторы (ПТ), биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) и т. д. Новые технологии обещают улучшение характеристик — уменьшение потерь в открытом состоянии и меньшую утечку в закрытом состоянии, повышение скорости переключения и уменьшение коммутационных потерь. Однако чем лучше становятся характеристики этих п/п приборов, тем сложнее их измерять. В этой статье я сначала опишу типичный процесс разработки силовых п/п приборов, а затем мы обсудим некоторые проблемы, связанные с измерением их характеристик и необходимым для этого оборудованием.