В современном мире электронная техника развивается семимильными шагами. Каждый день появляется что-то новое, и это не только небольшие улучшения уже существующих моделей, но и результаты применения инновационных технологий, позволяющих в разы улучшить характеристики.
Не отстает от электронной техники и приборостроительная отрасль – ведь чтобы разработать и выпустить на рынок новые устройства, их необходимо тщательно протестировать, как на этапе проектирования и разработки, так и на этапе производства. Появляются новая измерительная техника и новые методы измерения, а, следовательно – новые термины и понятия.
Для тех, кто часто сталкивается с непонятными сокращениями, аббревиатурами и терминами и хотел бы глубже понимать их значения, и предназначена эта рубрика.
ИЗЛУЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, полупроводниковые приборы, преобразующие электрич. энергию в энергию оптич. излучения. В качестве осн. элементов И. п. п. используются излучающие диоды (ИД) — светодиоды и инфракрасные ИД, в к-рых энергия неосновных неравновесных носителей заряда, инжектированных под действием приложенного напряжения в активную область ИД, превращается в энергию излучения в УФ, ИК или видимой области спектра. В зависимости от назначения И. п. п. разделяются на ПП генераторы излучения и ПП приборы отображения информации (ПП индикаторы).
Полупроводниковые генераторы излучения (ПГИ) предназначены для использования в волоконно-оптич. линиях передачи информации (ВОЛПИ), беспроводных линиях связи в пределах прямой видимости, в составе оптоэлектронных пар для преобразования электрич. сигнала в оптический, а также для накачки твердотельных лазеров.
Различают ПГИ спонтанного и стимулированного излучения. Мощность ПГИ спонтанного излучения непрерывного действия в ИК области составляет 0,1—1 мВт при токе 10—20 мА (ПГИ малой мощности) и 10—500 мВт при токе 50—3000 мА (мощные ПГИ); напряжение 1,5—3 В. В ПГИ малой мощности, как правило, используются плоские ИД с большой равномерно светящейся поверхностью, в мощных ПГИ — плоские и полусферич. ИД (рис. 1).
В 80-х гг. получили распространение ПГИ спонтанного излучения с высокой интенсивностью излучения (/) и малой излучающей поверхностью ИД, являющиеся наряду с полупроводниковыми лазерами осн. элементной базой для создания ВОЛПИ. Типичные значения / таких ПГИ составляют 50—400 мкВт/ср при токе 50 мА в диапазоне длин волн 1,3—0,8 мкм соответственно; площадь излучающей поверхности (2—10) -10-5 см2. Созданы также однострочные излучающие матрицы (ИМ), предназнач. для считывания информации с перфокарт и перфолент в ЭВМ (маломощные ИМ на основе инфракрасных ИД), для записи информации на фоточувствит. носители (маломощные ИМ на основе светодиодов), для накачки лазеров на алюмоиттриевом гранате и др. (на основе мощных инфракрасных ИД). Кол-во элементов в ИМ обычно составляет 10—100 (шаг между элементами 0,05—5,0 мм). ИМ с шагом 0,5 мм и менее имеют, как правило, монолитную конструкцию, остальные ИМ — гибридную. Электрич. и светотехн. параметры элементов ИМ такие же, как и у дискретных ПГИ.
Для изготовления ПГИ используются эпитаксиальные структуры соединений типа А В и их твёрдых р-ров (GaAs, GaP, InAs, GaAs1-xPx, AlxGa1-xAs и др.).
Полупроводниковые индикаторы (ПИ) предназначены гл. обр. для визуального воспроизведения информации в устр-вах индивидуального и коллективного пользования. В зависимости от характера отображающей информации ПИ разделяются на дискретные (изображение в виде светящейся точки), шкальные (линия светящихся точек), знаковые (цифры, буквы, условные символы), графические, а также дающие полутоновое изображение. Кол-во элементов изображения в совр. ПИ составляет 1—103. По конструкции ПИ всех типов делятся на монолитные и гибридные (рис. 2). Монолитная конструкция используется обычно при малых размерах изображения (не более 3 мм), гибридная — при больших размерах. В гибридных ПИ взаимное расположение элементов изображения определяется взаимным расположением кристаллов, размещённых на основании корпуса, размеры же светящихся элементов формируются с помощью монолитного пластмассового светопровода. Оптич. преобразование изображения точечного источника (одного кристалла) в изображение светящегося элемента ПИ осуществляется благодаря многократному отражению и рассеянию света внутри каждой из полостей светопровода, оптически изолированных между собой. Типичные значения силы света излучения в совр. ПИ 0,5—1,0 мкд при токе через элемент 10 мА и напряжении 1,5—3 В.
Осн. материалами для изготовления ПИ являются соединения типа АIII ВV и их твёрдые р-ры (GaP, GaAs1-x, AlxGa1-x, lnxGa1-xP). Изменяя состав твёрдых р-ров, можно создавать ПИ с любым цветом свечения (от красного до зелёного), в т. ч. и приборы с многоцветным изображением.
ПИ находят широкое применение в контрольно-измерит. аппаратуре, фотокиноаппаратуре, системах отображения информации на самолётах, а также в бытовой технике (микрокалькуляторах, электронных наручных часах, электронных игровых устр-вах и т. п.). К осн. преимуществам ПИ по сравнению с др. индикаторами относятся: практически идеальная совместимость с управляющими БИС и СБИС, высокое быстродействие и, следовательно, простота реализации мультиплексного управления, широкий диапазон рабочих темп-р (от —60 °С до +70 °С). Срок службы ПИ обычно не менее 20—100 тыс. ч, срок хранения не менее 15—20 лет.
Источник
Электроника. Энциклопедический словарь
Москва, «Советская энциклопедия», 1991 г.
Этот универсальный конвертер позволяет перевести различные величины (такие, как: длина, масса, температура, объем, площадь, скорость, время, давление и энергия) из одной системы единиц в другую. Он прост в использовании и работает на различных языках: русском, английском, испанском.
Выберите язык
Выберите величину
Введите значение
Получите результат
Мы используем файлы 'cookie', чтобы обеспечить максимальное удобство пользователям.