Курс повышения квалификации “Основы моделирования СВЧ-устройств в САПР Keysight Advanced Design System”
Курс повышения квалификации “Основы моделирования СВЧ-устройств в САПР Keysight Advanced Design System”
13.09.2019
Новая Инженерная Школа и компания Keysight Technologies приглашают на 4-дневный курс повышения квалификации по САПР Advanced Design System (ADS).
Дата: 8 - 11 октября 2019 г.
Место проведения: Москва, набережная Космодамианская, 52с3, офис компании Keysight Technologies.
Курс состоит из нескольких модулей по работе с ADS и средствами 3D-электромагнитного моделирования. Обучение проводится на русском языке квалифицированным инструктором с использованием последней версии программы Keysight ADS.
Программа включает в себя следующие темы:
-
Проекты и средства симуляции цепей
- Детали использования ADS
- Обзор проектов, библиотек, ячеек и технологий
- Схемы, системы и компоненты цепей, подсхемы
- Символы и динамический выбор модели
- Основы источников сигнала, нагрузок и переменных
- Основы симуляций: DC, S-параметры, Переходные процессы, Гармонический Баланс
- Отображение результатов расчёта
- Использование базы примеров и ассистентов разработки (синтез компонентов)
-
Симуляция цепей
- Согласование импеданса
- Техники оптимизации
- Дисплей данных
- Переменные и уравнения
- Параметризация
- Создание усилителя (при помощи демонстрационной PDK библиотеки)
- 2-тональная симуляция усилителя методом Гармонического Баланса и обработка данных расчёта
-
Основы ЭМ симуляций
- Основы создание электромагнитных моделей топологии при помощи симуляторов Momentum и FEM. Оптимизация при использовании параметризованных элементов топологии. Ко-симуляция электромагнитных моделей и компонентов схемы. Моделирование антенн, расчёт поля в дальней зоне, диаграммы направленности
-
Параметризация ЭМ компонентов, ко-симуляция и ко-оптимизация
- Параметризация ЭМ компонентов – основа оптимизации схем при совместном моделировании топологии и компонентов схемы. Преобразование статических элементов геометрии в параметрические. Сравнение двух подходов к моделированию: объединение декомпозированных элементов и симуляция всей топологии за один расчёт. Моделирование проводников конечной толщины на примере LTCC индуктивностей. Создание AEL макросов для параметризации компонентов и преобразование их в ЭМ компоненты
Узнать подробности об условиях участия и зарегистрироваться можно по данной ссылке.
www.keysight.com
О компании:
Keysight Technologies
Возврат к списку
Материалы по теме:
|