|
EN |
Поиск по сайту
Авторизация
Подписка на новости
|
Серьезные достижения компании Agilent в области проектирования усилительных модулей для следующей версии САПР ADS06.09.2012 Компания Agilent продемонстрировала ADS 2012, а также широкий диапазон решений – от схемотехнического моделирования до проверки системного уровня для общих ВЧ и СВЧ приложений, связи 4G и аэрокосмических/оборонных приложений – на выставке IMS 2012/IEEE MTT-S (павильон 1015), которая прошла 19-21 июня в Монреале, Канада. В павильоне Agilent и на всей территории выставки был представлен широкий диапазон решений основных партнеров Agilent.Новые технологии и крупные достижения компании Agilent в области проектирования ВЧ усилителей включают: - Электромагнитное моделирование с помощью метода конечных элементов с одновременным применением нескольких технологий для анализа электромагнитного взаимодействия между ИС и соединительными линиями, проволочными перемычками, шариковыми выводами кристалла «flip-chip» в типичных многокристальных модулях ВЧ усилителей мощности. - Поддержку новой модели Agilent NeuroFET на основе искусственной нейронной сети, извлеченной средствами программы моделирования устройств Agilent EEsof IC-CAP, которая позволяет точнее моделировать полевые транзисторы и получать более точные результаты (например, для мощных усилителей на GaN полевых транзисторах). - Улучшенную интеграцию с ПО Electromagnetic Professional (EMPro). Теперь 3D электромагнитные модели компонентов из EMPro можно сохранять в виде полей базы данных и непосредственно использовать в ADS. - Последнюю бета-версию нового электротермического симулятора ADS. Эта новая функция, построенная на основе полноценного 3D симулятора и полностью интегрированная в ADS, учитывает динамические тепловые эффекты для повышения точности “термозависимых” результатов моделирования. - Улучшенный «помощник разработчика» (DesignGuide) по расчету выходного импеданса, в которое добавлена, например, имитация рассогласования, описывающая чувствительность устройства или усилителя к изменению КСВ нагрузки или сдвига фазы. -Улучшенное руководство по проектированию усилителей, в том числе обширные обновления, упрощающие оценку характеристик усилителей при заданной выходной мощности или заданной нелинейности амплитудной характеристики. О компании: Keysight Technologies Материалы по теме:
Новости КИПиС
Новости компаний
Статьи КИПиС
|
Читайте бесплатно
События из истории измерений
|