|
EN |
Поиск по сайту
Авторизация
Подписка на новости
|
Компания Agilent Technologies объявила о прорыве в сфере создания нелинейных моделей на основе X-параметров для компонентов, используемых в радиосвязи, аэрокосмической и оборонной промышленности03.03.2009 Компания Agilent Technologies объявила о прорыве в сфере нелинейного моделирования таких компонентов, как усилители и транзисторы, широко применяемых в беспроводной связи, аэрокосмической и оборонной промышленности. X-параметры можно генерировать на основе моделей, созданных в САПР ADS, или по результатам измерений, выполненных с помощью контрольно-измерительных приборов компании Agilent, что позволяет ускорить разработку коммуникационного оборудования. В прошлом разработчики не могли точно измерять, отображать и моделировать полные амплитудные и фазовые характеристики каждого спектрального компонента нелинейной схемы. Также не было методики создания сверхточных нелинейных моделей, которые полностью описывали бы нелинейное поведение разрабатываемых устройств. Сейчас с помощью X-параметров можно регистрировать нелинейное поведение с такой же легкостью и точностью, с какой выполняется измерение или моделирование линейных S-параметров. Новая технология X-параметров компании Agilent позволяет регистрировать нелинейное поведение активных элементов, таких как усилители и транзисторы, и сохранять его в виде защищенной передаваемой информации для применения в САПР ADS. “Буквально за пять минут можно создать нелинейную модель стандартного усилителя путем измерения его характеристик с помощью векторного анализатора нелинейных цепей (NVNA) компании Agilent и сразу же начать проектирование нелинейных схем на его основе в системе автоматизированного проектирования ADS”, – сказал Джейсон Хорн, инженер-конструктор центра высокочастотных технологий компании Agilent и один из изобретателей технологии X-параметров. САПР ADS позволяет строить нелинейные модели на основе X-параметров по имитационным моделям. В результате можно создавать нелинейные модели радиочастотных и низкочастотных микросхем, модулей усилителей мощности, интерфейсных модулей и многопортовых устройств, например, смесителей. Это позволяет проектировщикам ВЧ и СВЧ систем измерять все параметры своих изделий на ранних этапах разработки еще до их изготовления. Модели на основе X-параметров поддерживают защиту интеллектуальной собственности, на основе которой они были созданы, в то же время сохраняя полный набор нелинейных характеристик и позволяя обмениваться ими с партнерами. Эта технология экономит время и ускоряет продвижение продуктов на рынок на всех этапах проектирования. “Системные интеграторы могут быстро моделировать ВЧ модули на основе X-параметров и сообщать о полученных результатах производителям компонентов еще до изготовления аппаратных образцов”, – заметил Джек Сифри, менеджер по маркетингу продукции отдела EEsof EDA компании Agilent. “Это потенциально может сократить расходы для конструкторских бюро по крайней мере на 1 миллион долларов за счет сокращения цикла изготовления ИС и стоимости разработки, не говоря уже о месяцах сэкономленного времени проектирования. Ведущие разработчики и производители микросхем, первые опробовавшие новое решение, с энтузиазмом приняли технологию X-параметров. X-параметры предлагают компактный язык, который позволяет обмениваться нелинейными характеристиками и точно их моделировать, обеспечивая полную защиту интеллектуальной собственности”. Кроме того, для обеспечения точности в полном диапазоне терминирующих сопротивлений пользователи могут создавать модели на основе X-параметров с учетом характеристик нагрузки на основе моделей ADS или по результатам измерений с помощью Agilent NVNA и с применением системы нагрузок компании Maury Microwave Corp. Моделирование с учетом нагрузки позволяет точно моделировать и оптимизировать важнейшие характеристики приемо-передатчиков (трансиверов) и усилителей мощности, такие как каскадированная выходная мощность, КПД суммирования мощности, амплитуда вектора ошибки и коэффициент утечки мощности в соседний канал, что исключает многомесячную подгонку прототипа с помощью серийно выпускаемых компонентов. Более подробная информация о САПР Advanced Design System и X-параметрах www.agilent.com/find/eesof-x-parameters. Чтобы запросить демонстрацию или получить больше информации об X-параметрах, перейдите по ссылке www.agilent.com/find/eesof-x-parameters-demo. О компании: Keysight Technologies Материалы по теме:
Новости КИПиС
Новости компаний
Статьи КИПиС
|
Читайте бесплатно
События из истории измерений
|