Дрейфовый транзистор

ДРЕЙФОВЫЙ ТРАНЗИСТОР, биполярный транзистор, в к-ром движение неосновных носителей заряда через базовую область носит в основном характер дрейфа под действием электрич. поля. Возникновение электрич. поля в базе Д. т. обусловлено неравномерным распределением концентрации легирующей примеси, спадающей от эмиттера к коллектору. Дрейф неосновных носителей заряда уменьшает время их движения через базу, а следовательно, повышает предельную частоту усиления. Для Д. т. характерно сочетание малого сопротивления базы с низкой величиной ёмкости коллектора, высокой рабочей частоты с большим значением пробивного напряжения коллекторного перехода. Д. т. на основе германия изготовляются по сплавно-диффузионной технологии (см. Сплавно-диффузионный транзистор), а на основе кремния — гл. обр. по пленарной (см. Пленарный транзистор). Д. т. применяются в усилителях, генераторах и преобразователях электрич. колебаний в ВЧ и СВЧ диапазонах волн, а также в качестве активных элементов интегральных схем. Макс, рабочая частота Д. т. ок. 15 ГГц.

Источник
Электроника. Энциклопедический словарь
Москва, «Советская энциклопедия», 1991 г.